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该光电掺杂的详细机理阐述，遭受请参考我们以前的工作：遭受Wu,E.X.;Xie,Y.;Zhang,J.;Zhang,H.;Hu,X.D.;Liu,J.;Zhou,C.W.;Zhang,D.H.DynamicallycontrollablepolaritymodulationofMoTe2 field-effecttransistorsthroughultravioletlightandelectrostaticactivation.Sci.Adv.2019,5,eaav3430本文参考文献：Wu,E.,Xie,Y.,Wang,S.etal.Non-volatileprogrammablehomogeneouslateralMoTe2 junctionformulti-bitflashmemoryandhigh-performanceoptoelectronics.NanoRes.(2020).https://doi.org/10.1007/s12274-020-3041-0图文导读图1：器件结构及电学性能表征图2：MoTe2光电p和n掺杂电学性能表征及其原理示意图图3：MoTe2在p和n掺杂过程中形成的3-bitMoTe2闪存图4：可编程的MoTe2同质结：pn,np,pp和nn结通讯作者及团队介绍胡晓东天津大学教授。(3)利用光电掺杂的区域可控性，多少短片实现了可编程的MoTe2同质结，包括nn，pp，pn和np结。